[发明专利]原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置及方法有效
申请号: | 201410014657.3 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103792392A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 刁东风;张冬青;范雪 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01Q60/24 | 分类号: | G01Q60/24 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置及方法,包括绝缘基底,以及放置在绝缘基底上的待测样品,待测样品的两侧分别设置有电极;防止有待测样品的绝缘基底置于原子力显微镜的载物平台上,原子力显微镜的导电探针的末端通过导线连接到电压表的正极上,电压表的负极接地;电压表的数据输出端与电脑相连。本发明采用原子力显微镜,通过给待测样品施加恒定的平行于样品表面的直流电流,利用原子力显微镜的导电探针测量样品上各点的对地电势,通过计算相邻点的电势差,就能得到这两点之间的电阻分布情况。本发明装置结构简单,对样品的客观要求低,测量出的结果误差小,可以表征因纳米结构而电阻分布不均匀的材料。 | ||
搜索关键词: | 原子 显微镜 测量 纳米 薄膜 材料 电阻 分布 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置,其特征在于:包括绝缘基底(6),以及在绝缘基底(6)上的待测样品(4),待测样品(4)的两侧分别设置有电极(5),其中一个电极与直流电源(1)的正极相连,另一个电极与直流电源(1)的负极相连,直流电源(1)的负极接地;将待测样品(4)和绝缘基底(6)置于原子力显微镜的压电位移载物平台上,原子力显微镜的导电探针(3)的末端通过导线连接到电压表(2)的正极上,电压表(2)的负极接地;电压表(2)的数据输出端与电脑相连。
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