[发明专利]一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410011278.9 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103866253A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 杨晔;王木钦;黄金华;兰品军;宋伟杰 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/58;H01B5/14
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地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法,该超薄AZO透明导电薄膜从下至下依次包括基片、锌层和AZO层,锌层和AZO层的总厚度小于120nm,其中锌层的厚度为2~10nm,AZO层的厚度为35~100nm。本发明中采用磁控溅射法在基片上沉积得到锌层和AZO层,并对沉积后的薄膜进行快速特退火,通过设定退火条件,使锌层中的锌原子渗透进入AZO层并形成Zni缺陷,从而提高载流子浓度,且在锌层和AZO层的沉积过程中沉积温度不高于200℃,节省生产能耗,降低了生产成本,提高了生产效率,适用于工业生产。本发明的超薄AZO透明导电薄膜的电阻率为13~3.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为5.0~13.8×1020cm-3,380~800nm,平均透过率(含基片)为70~88%。
搜索关键词: 一种 载流子 浓度 超薄 azo 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)清洗玻璃基片,且在清洗完成后采用臭氧对玻璃基片进行表面处理;(2)采用射频磁控溅射法溅射锌靶在步骤(1)处理的基片上沉积形成锌层,溅射条件如下:本底真空度为2.0~6.0×10‑4Pa,基片温度为25~150℃,溅射功率为5~50W,溅射气压为0.1~0.4Pa,溅射气体为氢气和氩气的混合气体,其中氢气的体积百分比为0~10%;(3)采用射频磁控溅射法溅射AZO陶瓷靶在步骤(1)处理的基片上沉积形成AZO层,溅射条件如下:本底真空度为2.0~6.0×10‑4Pa,基片温度为25~150℃,溅射功率为150~300W,溅射气压为0.1~0.4Pa,溅射气体为氢气和氩气的混合气体,其中氢气的体积百分比为0~10%;(4)在沉积有锌层和AZO层基片进行快速退火,快速退火的条件如下:退火温度为300~500℃,退火时间为5s~60s,升温速率为35~60℃/min。
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