[发明专利]一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法有效
| 申请号： | 201410010119.7 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103698985A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陆向宇;鲍晔 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。在改变设备进行试运行时，其计算方法包括：步骤S1：罗列设备的曝光能量矩阵，以及光刻工艺中的工艺条件参数；步骤S2：进行条件匹配，并基于所述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取预测的曝光能量参数Dose_JI。本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 试运行 曝光 能量 参数 预测 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，其特征在于，所述方法包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。
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