[发明专利]一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法。

背景技术

目前，自动化制程控制（Automated Process Control,APC）在光刻制程控制中得到广泛应用。例如，通过自动化制程控制进行曝光能量参数调控以保证生产线关键尺寸参数符合工艺要求。

但是，在实际生产中，由于不同产品在线量有高低，势必产生一定问题。其主要归因于小批量的产品不能提供足够的数据去预测准确值。特别地，在产品在线量复杂的车间，会出现更多的试运行问题。在进行试运行的过程中很难预测曝光能量参数，所以必须通过测试，以进行曝光能量参数计算。同时，所述测试晶圆在测试结束后还需要返工。然而，返工的测试晶圆不合格率相对较高，增加生产成本。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，利用生产线大批量的产品为小批量产品的试运行提供曝光能量参数的预测，于是有了本发明一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，所述小批量的产品不能提供足够的数据去预测准确值，以及返工的试车晶圆不合格率相对较高，增加生产成本等缺陷提供一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，所述方法利用生产线大批量的产品为小批量产品的试运行提供曝光能量参数的预测，具体包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。

可选地，所述在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种工具上的曝光能量比例进行计算，其计算方法进一步包括：

执行步骤S1：罗列相关设备中满足光刻工艺条件参数的曝光能量矩阵，所述工艺参数包括产品相关工艺、层间结构、光阻厚度、曝光照度设定、关键尺寸值、设备类型；

执行步骤S2：进行条件匹配，并基于上述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；

执行步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取所述预测的曝光能量参数Dose_JI；

其中，所述时间Day（n）表征数据库中满足工艺条件的样本到当前的时间，Pilot_time表征设定的时间常数；

权重Wt(n)=2-Day(n)Pilot_time;]]>

预测的曝光能量参数Dose_JI=ΣDose_Ref(n)·Wt(n)ΣWt(n).]]>

综上所述，本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。

附图说明

图1所示为本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法之流程图。

具体实施方式

为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。