[发明专利]高硅铝合金的制备方法有效
| 申请号： | 201410007917.4 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103740956A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘向阳 | 申请（专利权）人： | 镇江镨利玛新型材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;B22F3/115;C22C21/02 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 212006 江苏省镇江市丹徒区上党镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝合金材料的制备方法，具体是一种高硅铝合金的制备方法。该方法包括以下步骤：1）在中频炉中将定量的纯铝熔化加温到800-900℃，按照Al70Si中所需的硅含量加入二分之一需要量的速熔硅，继续升温到合金熔点以上100℃再加入八分之三需要量的速溶硅，达到65wt%硅即可出炉制成合金坯料；2）将合金坯料加入中频炉加温成1300℃合金液，转移到喷射成形设备中，调节合金液温度到1200℃，使合金液流入雾化器，用高压氮气雾化后沉积在基板上，形成合金锭。本发明能够使合金液快速达到喷射成形的工艺要求，同时保证合金含量的准确可控；可获得膨胀系数、热导率、材料强度等性能满足电子封装要求的高性能硅铝合金材料。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高硅铝合金的制备方法，其特征是：包括以下步骤，1）Al70Si成分合金制备，在中频炉中将定量的纯铝熔化加温到800‑900℃，按照Al70Si中所需的硅含量加入二分之一需要量的速熔硅，继续升温到合金熔点以上100℃再加入八分之三需要量的速溶硅，电磁搅拌18－20分钟，撇去渣，测定合金含量，达到65wt%硅即可出炉制成合金坯料；2）将合金坯料加入中频炉加温成1300℃合金液，转移到喷射成形设备中，调节合金液温度到1200℃，使合金液流入雾化器，用高压氮气雾化后沉积在基板上，形成合金锭；雾化工艺为2级雾化，一级雾化压力0.3－0.4Mpa，二级雾化压力1.2－1.3Mpa，雾化角8度，合金液流量4Kg/分钟，雾化冷却后即为成品。
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