[发明专利]温度和工艺补偿的电流基准电路有效
申请号: | 201410007047.0 | 申请日: | 2014-01-02 |
公开(公告)号: | CN104765405B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 刘永锋 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,张臻贤 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及温度和工艺补偿的电流基准电路。基准电流路径运载基准电流。第一晶体管耦合到基准电流路径。第二晶体管也耦合到基准电流路径。第一和第二晶体管并联连接以运载基准电流。第一晶体管由第一电压偏置(其是带隙电压加阈值电压)。第二晶体管由第二电压偏置(其是PTAT电压加阈值电压)。第一和第二晶体管因此被具有不同和相反温度系数的电压所偏置,结果是在第一和第二晶体管中流动的电流的温度系数是相反的并且基准电流因此具有低的温度系数。 | ||
搜索关键词: | 温度 工艺 补偿 电流 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种基准电流产生电路,包括:被配置为运载基准电流的基准电流路径;第一晶体管,耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第一部分,所述第一晶体管具有被配置为由第一电压偏置的控制端子;以及第二晶体管,耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第二部分,所述第二晶体管具有被配置为由第二电压偏置控制端子;其中所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此并联耦合;其中在所述第一晶体管中流动的电流的温度系数与在所述第二晶体管中流动的电流的温度系数相反;并且其中所述第一电压从带隙电压得出并且所述第二电压从PTAT电压得出。
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