[发明专利]一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法有效
| 申请号： | 201410005195.9 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103713252A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;刘新宇;魏珂;孔欣;王兵;郑英奎;李艳奎;欧阳思华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的传输线测试图形与所述待检测GaN基半导体器件的接触电阻和薄层电阻；为串接后的传输线测试图形提供高压应力，再次获取所述接触电阻和薄层电阻，并获取串接后的多组传输线测试图形的伏安特性曲线；根据施加高压应力前后所述接触电阻和薄层电阻的稳定性以及施加高压应力后所述金丝的电子扫描显像图判定所述待检测GaN基半导体器件的欧姆接触高压可靠性。所述检测方法可用于检测GaN基HEMT欧姆接触高压可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体器件 欧姆 接触 高压 可靠性 评价 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，其特征在于，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的传输线测试图形与所述待检测GaN基半导体器件的接触电阻和薄层电阻；为串接后的传输线测试图形提供高压应力，再次获取所述接触电阻和薄层电阻，并获取串接后的多组传输线测试图形的伏安特性曲线；根据施加高压应力前后所述接触电阻和薄层电阻的稳定性以及施加高压应力后所述金丝的电子扫描显像图判定所述待检测GaN基半导体器件的欧姆接触高压可靠性。
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