[发明专利]一种超微平面电极阵列传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410003191.7 申请日: 2014-01-03
公开(公告)号: CN104760922A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 蔡新霞;刘春秀;蒋庭君;宋轶琳 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B82B3/00;C12M1/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于定量测定神经细胞量子释放的双模(电生理信号和电化学信号两种模式信号)超微平面阵列传感器的制备方法。结合双层布线设计、高精度步进光刻工艺和分区隔离设计制备超微平面电极(0.5~5μm),在电极阵列表面进行定向纳米修饰、生物兼容性修饰和特异识别酶修饰相结合的方法制备双模平面超微电极阵列传感器。采用微机电系统技术、纳米修饰技术和生物修饰技术相结合的方法制备双模平面超微电极阵列。克服了常规平面微电极的电极位点尺寸偏大(10~50μm)和棒状碳纤电极的单个位点检测的局限性。该方法制备超微平面电极阵列具有电极位点小、记录点多、对神经细胞无损伤、可同时原位实时检测多个神经细胞的神经递质量子释放和电生理动作电位信号的双模信息。
搜索关键词: 一种 平面 电极 阵列 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超微平面电极阵列传感器,其特征在于:包括超微平面电极阵列和复合功能膜层,其中所述超微平面电极阵列由绝缘基底、微电极阵列、对电极、参比电极、电极引线以及触点构成,所述微电极阵列包括多个,分布在绝缘基底上,多个微电极阵列可共用参比电极和对电极;所述复合功能膜层包括纳米修饰、生物兼容修饰、生物特异层修饰相结合的修饰层,其分区域修饰在超微平面电极阵列。
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