[发明专利]平面异质器件在审
| 申请号： | 201380081026.7 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105745737A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | K·俊;P·莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在实施例中，第二半导体层被转移(例如，使用层转移技术)到第一半导体层的顶部上。第二层被图案化成期望的阱。在这些阱之间，暴露第一层。所暴露的第一层外延生长到所转移的第二层的水平高度，以完成包括S1和S2两者的平面异质衬底。可以利用异质材料，以使得例如由III‑V材料或IV材料的其中之一构成的P沟道器件与由III‑V材料或IV材料的其中之一构成的N沟道器件共面。实施例不需要晶格参数符合，这是因为第二层被转移到第一层上。此外，不存在(或存在很少)缓冲体和/或异质外延。本文中还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 器件 | ||
【主权项】：
一种装置，所述装置包括：第二层，所述第二层直接位于第一层上方；其中，(a)所述第二层包括通过电介质层与所述第一层分隔开的第一部分，以及外延形成于所述第一层上的第二部分；(b)所述第一部分并不被外延形成于所述第一层上；(c)所述第一部分和所述第二部分彼此晶格失配；并且(d)与所述第一层和所述第二层平行的水平轴穿过所述第一部分和所述第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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