[发明专利]磁传感器装置有效
| 申请号： | 201380074915.0 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105051500A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 奥村宏克;海老根徹;小田切秀行;常田晴弘 | 申请（专利权）人： | 日本电产三协株式会社 |
| 主分类号： | G01D5/245 | 分类号： | G01D5/245 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沈捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种磁传感器装置，其即使不在磁铁的周边确保大的空间，也能缓和在来自感磁传感器的输出的传送路径中产生的感应噪声的影响。在传感器装置(10)中，使用在一侧面(501)侧装配有感磁传感器(4)、在另一侧面(502)侧装配有半导体装置(9)的双面基板(5)，感磁传感器(4)与半导体装置(9)通过双面基板(5)的通孔(50)电连接。感磁传感器(4)与半导体装置(9)配置在两者的至少一部分在双面基板(5)的厚度方向上重叠的位置，且通孔(50)形成于与感磁传感器(4)及半导体装置(9)这两者在双面基板(5)的厚度方向上重叠的位置。因此，从感磁传感器(4)向半导体装置(9)的传送路径较短，因此在来自感磁传感器(4)的输出的传送路径中产生的感应噪声较小。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种磁传感器装置，其特征在于，所述磁传感器装置包括：磁铁，所述磁铁设置在旋转体侧，且绕旋转中心轴线设置有N极以及S极；感磁传感器，所述感磁传感器在固定体侧与所述磁铁相向；半导体装置，所述半导体装置具有放大来自所述感磁传感器的输出信号的放大器部；双面基板，在所述双面基板的一侧面侧装配有所述感磁传感器，在所述双面基板的另一侧面侧装配有所述半导体装置，所述感磁传感器与所述半导体装置配置在两者的至少一部分在所述双面基板的厚度方向上重叠的位置，所述感磁传感器与所述半导体装置通过多个通孔电连接，所述多个通孔形成于所述双面基板中与所述感磁传感器以及所述半导体装置中的至少一者在所述双面基板的厚度方向上重叠的位置。
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