[发明专利]经由锂多氧阴离子盐的沉积在无机基底上形成氧化物壳在审
申请号: | 201380074615.2 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN105190960A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 郝建军;C·S·艾伦 | 申请(专利权)人: | 塞克姆公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法,包括提供含有四烷基铵多氧阴离子和氢氧化锂的水性组合物;使水性组合物与无机基底接触足够的时间以使锂多氧阴离子沉积到无机基底表面上,从而形成初始涂覆的无机基底;以及使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将锂多氧阴离子转化为氧化物,从而在无机基底上形成源自多氧阴离子的氧化物涂层。无机基底可以是陶瓷材料或半导体材料、玻璃或其它介电材料,并且陶瓷材料可以是锂离子电池阴极材料。 | ||
搜索关键词: | 经由 锂多氧 阴离子 沉积 无机 基底 形成 氧化物 | ||
【主权项】:
1.一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法,包括:提供含有四-C1 -C8 -烷基铵多氧阴离子和锂离子的水性溶液,其中所述四-C1 -C8 -烷基铵多氧阴离子包含四-C1 -C8 -烷基铵和具有通式Ax Oy z- 的多氧阴离子,所述四-C1 -C8 -烷基铵和多氧阴离子之间的化学计量比取决于A在所述多氧阴离子中的价态;使所述水性溶液与无机基底接触足够的时间以使锂多氧阴离子通过异相成核沉积到所述无机基底表面上,从而形成初始涂覆的无机基底;以及使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将所述锂多氧阴离子转化为氧化物,从而在所述无机基底上形成源自所述多氧阴离子的氧化物涂层,其中所述四-C1 -C8 -烷基铵多氧阴离子包括具有通式Ax Oy z- 的多氧阴离子,通式中的原子A表示过渡金属或选自Al、Si、B、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb和Pb的金属或准金属,或其任意两种或更多种的组合,O是氧原子,并且x、y和z值取决于A在所述多氧阴离子中的价态并且y>x。
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