[发明专利]存储装置有效
申请号: | 201380070682.7 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN104937561B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 小关英通 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟,王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 存储装置具有多个记忆装置和将多个记忆装置作为RAID组来进行控制的存储控制器。各记忆装置具有非易失性半导体存储(例如闪存)芯片和内存控制器,该内存控制器压缩数据,并将压缩后的数据保存在非易失性半导体存储芯片内。内存控制器向存储控制器提供逻辑记忆区域。存储控制器将逻辑记忆区域划分成多个条目,该条目为分别具有规定的大小的逻辑记忆区域,从各记忆装置获取保存在非易失性半导体存储器内的与数据容量有关的容量信息,基于容量信息,在半导体记忆装置之间交换条目的数据。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种存储装置,其特征在于,具有:多个半导体记忆装置,其分别具有多个非易失性半导体存储芯片和内存控制器,所述内存控制器将数据压缩并保存在所述多个非易失性半导体存储芯片内;和存储控制器,其控制多个RAID组,所述多个RAID组分别以规定数包括所述多个半导体记忆装置内包含的半导体记忆装置,所述存储控制器控制数据向所述多个半导体记忆装置的写入以及从所述多个半导体记忆装置的读取,所述内存控制器将所述多个非易失性半导体存储芯片的记忆区域与逻辑记忆区域对应地提供至所述存储控制器,所述内存控制器构成为向所述存储控制器提供在所述数据的保存中使用的所述非易失性半导体存储芯片的记忆区域的量即物理使用量的信息,所述存储控制器将所述多个半导体记忆装置各自提供的所述逻辑记忆区域分别划分成多个条目,所述条目为具有规定的大小的逻辑记忆区域,所述存储控制器按每个所述半导体记忆装置管理保存着所写入的数据的所述非易失性半导体存储芯片的记忆区域的量即数据保存量,所述存储控制器按所述多个RAID组的每一组而构成多个区,所述区将分别属于各RAID组所包含的多个半导体记忆装置的每一个半导体记忆装置的条目各包括一个,所述存储控制器基于所述数据保存量,从所述多个RAID组选择第一RAID组和第二RAID组,所述存储控制器基于所述数据保存量,将属于所述第一RAID组的所述多个区中的第一区的数据与属于所述第二RAID组的所述多个区中的第二区的数据交换。
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