[发明专利]硅基板的再结合寿命测定方法有效
| 申请号： | 201380068161.8 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104871302B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 竹野博 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是在于提供一种以高精度评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染或结晶缺陷的硅基板的再结合寿命测定方法。本发明是在对硅基板的表面进行化学钝化处理之后，测定再结合寿命的方法，从所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定结束的期间，至少进行防护所述硅基板不受紫外线照射的紫外线防护处理。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 结合 寿命 测定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基板的再结合寿命测定方法，其是对硅基板的表面进行化学钝化处理之后，测定再结合寿命的方法，其特征在于，从所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定结束的期间，至少进行防护所述硅基板不受紫外线照射的紫外线防护处理，并且，在被遮光的环境下进行所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定，由此进行所述紫外线防护处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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