[发明专利]单片集成光电元件的装置

摘要

公开了一种方法，用于在单个硅衬底上制造光电组件结构和传统的电路元件。光电组件的具体实例包括但是不限于：光电二极管结构、光发射器结构和波导结构。传统电路元件包括晶体管、二极管、电阻器、电容器和相关联的金属化的互连。该制造方法与传统CMOS、Bi-CMOS和双极处理要求与设计规则兼容。该方法由下述部分组成：一组处理步骤，用于允许向适当准备的硅表面上的III-V化合物半导体膜的异质外延沉积；一组处理步骤，用于允许该沉积的晶片继续在传统CMOS、Bi-CMOS或双极处理生产线中的处理，而没有污染的风险；以及，一组步骤，用于允许与传统CMOS、Bi-CMOS或双极处理流并行的p-n和p-i-n光电二极管/检测器结构的制造，产生传统的电路元件；以及，一组步骤，用于产生电介质波导和光学上黑色的隔离膜。所公开的方法也允许如此制造的集成光电芯片的晶片级囊封和晶片级封装。

主权项

一种用于在硅衬底上制造光电结构的方法。