[发明专利]利用多孔硅形成的能量储存设备有效
| 申请号： | 201380062057.8 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104798152B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | D.S.贾纳;L.E.莫斯利 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;蒋骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，能量储存设备（例如电容器）可以包括在衬底内形成的多孔硅层。多孔硅层包括具有小于近似100纳米的平均孔直径的孔。在多孔硅层上形成第一导电层并且在第一导电层上形成第一电介质层。在第一电介质层上形成第二导电层以形成电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多孔 形成 能量 储存 设备 | ||
【主权项】：
1.一种能量储存设备，包括：通过在没有光刻的情况下电化学蚀刻衬底而在所述衬底内形成的介孔硅层，所述介孔硅层具有有着渐缩孔开口并有着50纳米或以下的平均孔直径的孔；在所述介孔硅层上形成的第一导电层；在所述第一导电层上形成的第一电介质层；以及在所述第一电介质层上形成的第二导电层。
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