[发明专利]光学光子线路耦合有效
申请号: | 201380060537.0 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104797963B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | E·M·默罕默德;P·L·张;I·班 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 系统和方法可以将芯片上光线路耦合到外部光纤。SOI波导结构可以包括镜面结构和锥形波导,以用于将光线路光耦合到垂直定向的外部连接器中的光纤。镜面结构可以被成角度地设置在硅波导结构的端处。氧化层可以覆盖掩埋氧化层和硅波导结构。锥形波导可以具有窄端和宽端。锥形波导的窄端可以被设置在镜面结构上方。锥形波导可以从窄端沿与硅波导结构垂直的方向延伸通过氧化层。外部连接器可以适合在锥形波导上方并使用通过连接器主体行进的光纤阵列光耦合到外部光纤。 | ||
搜索关键词: | 光学 光子 线路 耦合 | ||
【主权项】:
1.一种光学装置,包括:硅衬底;被设置在所述硅衬底上的掩埋氧化层;被设置在所述掩埋氧化层上的硅波导结构;成角度地设置在所述硅波导结构的第一端的镜面结构;覆盖所述掩埋氧化层和所述硅波导结构的氧化层;以及具有窄端和宽端的锥形波导,所述窄端被设置在所述镜面上方,所述锥形波导从所述窄端在与所述硅波导结构垂直的方向上延伸穿过所述氧化层,其中,所述镜面被成角度地设置为相对于所述锥形波导和所述硅波导结构二者成大约四十五度。
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