[发明专利]用于高纵横比及大横向尺寸结构的度量系统及方法有效
| 申请号： | 201380060029.2 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104781650A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉;刘学峰;戴维·Y·王;乔·马德森;亚历山大·库兹涅佐夫;乔汉斯·D·迪·维尔;桑卡·克里许南;德里克·萨乌夫尼斯;安德烈·谢卡格罗瓦 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01B11/24;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于高纵横比及大横向尺寸结构的各种度量系统及方法。一种方法包含将光引导到在晶片上形成的一或多个结构。所述光包含紫外光、可见光及红外光。所述一或多个结构包含至少一个高纵横比结构或至少一个大横向尺寸结构。所述方法还包含产生响应于归因于引导到所述一或多个结构的所述光而来自所述一或多个结构的光的输出。另外，所述方法包含使用所述输出确定所述一或多个结构的一或多个特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纵横 比及 横向 尺寸 结构 度量 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种系统，其经配置以确定在晶片上形成的一或多个结构的一或多个特性，所述系统包括：照明子系统，其经配置以将光引导到在所述晶片上形成的所述一或多个结构，其中所述光包括紫外光、可见光及红外光，且其中所述一或多个结构包括至少一个高纵横比结构或至少一个大横向尺寸结构；检测子系统，其经配置以产生响应于归因于引导到所述一或多个结构的所述光而来自所述一或多个结构的光的输出；以及计算机子系统，其经配置以使用所述输出确定所述一或多个结构的一或多个特性。
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