[发明专利]负极活性物质、其制备方法和锂二次电池在审

专利信息
申请号: 201380058984.2 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN104781959A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 入山次郎;川崎大辅;藤井惠美子;芹泽慎;高桥浩雄 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/13
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种负极活性物质,其作为锂二次电池用负极活性物质在性能方面是优异的,其包含当对进行至少一次充电后的硅氧化物进行硅的固态NMR(29Si-DDMAS)测定时满足以下式1和式2的硅氧化物;(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,其中S1为归属于具有Si-Si键且具有在0ppm~-15ppm、-55ppm、-84ppm和-88ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S2为归属于具有Si(OH)4-n(OSi)n(n=3,4)结构且具有在-100ppm和-120ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S3为归属于具有Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0,1,2,3)结构且具有在-66ppm、-74ppm、-85ppm和-96ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和。
搜索关键词: 负极 活性 物质 制备 方法 二次 电池
【主权项】:
一种包含硅氧化物的负极活性物质,当对进行至少一次充电后的硅氧化物进行硅的固态NMR(29Si‑DDMAS)测定时,所述负极活性物质满足以下式1和式2,(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,其中,S1为归属于具有Si‑Si键且具有在0~‑15ppm、‑55ppm、‑84ppm和‑88ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S2为归属于具有Si(OH)4‑n(OSi)n(n=3,4)结构且具有在‑100ppm和‑120ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和,S3为归属于具有Si(OLi)4‑n(OSi)n(n=0,1,2,3)结构且具有在‑66ppm、‑74ppm、‑85ppm和‑96ppm处的峰的Si的一组信号的峰面积的总和。
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