[发明专利]金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法有效
| 申请号： | 201380058422.8 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104769150B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C01B13/14;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于 |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包含晶体部的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包含沟道形成区；以及邻近所述沟道形成区的栅电极，在所述沟道形成区和所述栅电极之间带有栅极绝缘层，其中所述氧化物半导体膜包含第一金属、第二金属和第三金属，其中所述第一金属为铟，所述第二金属为锌，以及所述第三金属为Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的任一，其中所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，其中在所述氧化物半导体膜的截面的纳米束电子衍射图案中，在大于或等于具有![]()
直径的区域且小于或等于具有![]()
直径的区域的测量区域中观察到呈圆周状分布的多个斑点,并且其中在所述氧化物半导体膜的平面的选区电子衍射图案中在大于或等于具有![]()
直径的区域的测量区域中观察到光晕图案。
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