[发明专利]气体阻隔膜和气体阻隔膜的制造方法有效
申请号: | 201380054446.6 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN104736335A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 西尾昌二 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;C23C16/42;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也具有充分的气体阻隔性、即便在使膜弯曲的情况下气体阻隔性的降低也被充分抑制、耐裂纹性也优异的气体阻隔膜。本发明的气体阻隔膜的特征在于,在基材的至少一个面具有含有硅、氧和碳的气体阻隔层,满足下述(i)~(iv)的全部要件:(i)硅、氧和碳原子比率在层厚方向的90%以上的区域中,(碳原子比率)<(硅原子比率)<(氧原子比率),(ii)碳分布曲线具有至少2个极值,(iii)碳分布曲线中的碳原子比率的最大值与最小值之差的绝对值为5at%以上,(iv)跟基材侧的气体阻隔层表面最近的氧分布曲线的极大值在该气体阻隔层内的氧分布曲线的极大值中取最大值。 | ||
搜索关键词: | 气体 阻隔 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种气体阻隔膜,其特征在于,在基材的至少一个面具备含有硅、氧和碳的气体阻隔层,在基于对该气体阻隔层利用X射线光电子分光法进行深度方向的元素分布测定而得的各元素的分布曲线中,满足全部下述要件(i)~(iv),(i)在从所述气体阻隔层的表面到层厚方向的90%以上的距离区域中,硅原子比率、氧原子比率和碳原子比率具有下述序列的大小关系,碳原子比率<硅原子比率<氧原子比率(ii)碳分布曲线具有至少2个极值,(iii)碳分布曲线中的碳原子比率的最大值与最小值之差的绝对值为5at%以上,(iv)氧分布曲线中,跟基材侧的气体阻隔层表面最近的氧分布曲线的极大值在该气体阻隔层内的氧分布曲线的极大值中取最大值。
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