[发明专利]先进的操作晶片剥离方法有效
| 申请号： | 201380053216.8 | 申请日： | 2013-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN104718605B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | P·S·安德里;R·A·巴德;J·U·尼克博克;R·E·特里辛斯基;D·C·小拉图利普 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/46;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 操作 晶片 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加工半导体晶片的方法，包括：将对可见光透明的释放层施加到透明操作体；在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层；使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体；在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片；通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层；以及从所述透明操作体去除所述半导体晶片，所述方法还包括：在所述半导体晶片的所述加工之后且在烧蚀所述释放层之前，透过所述透明操作体和所述释放层检查所述半导体晶片；以及当所述检查发现可矫正的缺陷时，在烧蚀所述释放层之前对所述半导体晶片进行修复。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380053216.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
