[发明专利]磁记录介质有效
| 申请号： | 201380051735.0 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104685566B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 内田真治 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在高密度的磁记录中实现良好的信号特性的具有粒状结构的磁记录层的磁记录介质。本发明的垂直磁记录介质至少包括非磁性基体、基底层、基底层上的磁记录层，基底层包括第一基底层和第二基底层，所述第一基底层含有选自Cr、V、Ti、Sc、Mo、Nb、Zr、Y、Al和B构成的组中的至少一种元素的氮化物且具有(001)取向的NaCl结构，所述第二基底层含有Mg、Ca、Co和Ni构成的组中的至少一种元素且包括形成在第一基底层之上的多个岛状区域，磁记录层包括由磁性晶粒和晶界部构成的粒状结构的层。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种垂直磁记录介质，其特征在于，至少包括非磁性基体、基底层和所述基底层上的磁记录层，所述基底层包括第一基底层和第二基底层，所述第一基底层含有选自Cr、V、Ti、Sc、Mo、Nb、Zr、Y、Al和B构成的组中的至少一种元素的氮化物且具有(001)取向的NaCl结构，所述第二基底层含有选自Mg、Ca、Co和Ni构成的组中的至少一种元素且包括形成在第一基底层之上的多个岛状区域，所述磁记录层包括由磁性晶粒和晶界部构成的粒状结构的层。
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