[发明专利]导电性材料及其制造方法有效
申请号: | 201380049266.9 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN104662198B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 深泽宪正;梶井智代;佐野义之;关根信博;清冈隆一 | 申请(专利权)人: | DIC株式会社 |
主分类号: | C23C18/30 | 分类号: | C23C18/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供不需要借助粘接剂来接合、不使用真空设备的具有适当厚度的导电层的导电性材料的制造方法。本发明的导电性材料的制造方法具有如下的工序在绝缘性基材(1)上涂布分散液,形成非导电性层(3)的工序,所述分散液含有0.5质量%以上的被具有氮原子、硫原子、磷原子或氧原子的化合物保护的选自由金、银、铜及铂组成的组中的1种以上的金属微粒(2);对具有该非导电性层(3)的基材(1)进行化学镀,形成导电层的工序。 | ||
搜索关键词: | 导电性 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种导电性材料的制造方法,其特征在于,具有下述工序:(1)在绝缘性基材(A)上涂布分散液(B),形成非导电性层(C)的工序,所述分散液(B)含有0.5质量%以上的被具有氮原子、硫原子、磷原子或氧原子的化合物(b1)保护的选自由金、银、铜及铂组成的组中的1种以上的金属微粒(b2);(2)对(1)中得到的具有非导电性层(C)的基材进行化学镀,形成导电层(D)的工序,所述化合物(b1)为具有聚乙烯亚胺嵌段和聚乙二醇嵌段的化合物(P1)、下述的(甲基)丙烯酸类聚合物(P2)、或下述通式(1)表示的含硫醚有机化合物(P3),所述(甲基)丙烯酸类聚合物(P2)是使具有聚乙二醇链的(甲基)丙烯酸酯类大分子单体与具有‑OP(O)(OH)2表示的磷酸酯残基的(甲基)丙烯酸酯类单体在具有‑SR表示的官能团的链转移剂的存在下聚合而得到的,其中,‑SR中,R为碳数1~18的烷基、可以在苯环上具有取代基的苯基、或具有如下的官能团的碳数1~8的烷基,所述官能团为选自由羟基、碳数1~18的烷氧基、碳数1~18的芳烷基氧基、可以在苯环上具有取代基的苯氧基、羧基、羧基的盐、碳数1~18的1价或多价的烷基羰基氧基及碳数1~18的1价或多价的烷氧基羰基组成的组中的1个以上的官能团,X‑(OCH2CHR1)n‑O‑CH2‑CH(OH)‑CH2‑S‑Z (1)式(1)中,X为C1~C8的烷基,R1为氢原子或甲基,n为表示2~100的重复数的整数,R1在每个重复单元中是独立的,可以相同也可以不同,Z为C2~C12的烷基、烯丙基、芳基、芳烷基、‑R2‑OH、‑R2‑NHR3、或‑R2‑COR4表示的基团,其中,R2为C2~C4的亚烷基链,R3为氢原子、C2~C4的酰基、C2~C4的烷氧基羰基、或可以在芳香环上具有C1~C4的烷基或C1~C8的烷氧基作为取代基的苄氧基羰基,R4为羟基、C1~C4的烷基或C1~C8的烷氧基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
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