[发明专利]用于电子应用的聚合物纳米复合物有效
| 申请号： | 201380048434.2 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104641424B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈勤;诺尔贝托·西尔维;约翰·克拉恩;安妮·博尔瓦里 | 申请（专利权）人： | 沙特基础全球技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/30 | 分类号： | H01B3/30;C08K3/18;C08K3/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 张英,宫传芝 |
| 地址： | 荷兰贝尔根*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有介电常数和耐电晕性同时具有相对于聚合物升高的或基本上保持的能量密度、击穿强度和/或损耗因子的纳米复合材料，其设备和其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 应用 聚合物 纳米 复合物 | ||
【主权项】：
一种介电纳米复合物，包括：连续聚合物相，包含表现出基础耐电晕性、基础介电常数DK值K1、基础能量密度，以及基础介电击穿强度的聚合物材料；以及分散的颗粒相，包含表现出DK值K2的纳米颗粒无机填料材料，其中，所述K2的值大于K1，并且其中，所述纳米颗粒无机填料材料分散于所述连续聚合物相中；其中，所述介电纳米复合物表现出大于所述聚合物材料的基础耐电晕性的耐电晕性；其中，所述介电纳米复合物表现出不小于所述聚合物材料的基础能量密度的65％的能量密度；其中，所述介电纳米复合物表现出不小于所述聚合物材料的基础介电击穿强度的80％的介电击穿强度。
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