[发明专利]用于电子应用的聚合物纳米复合物

权利要求书

1.一种介电纳米复合物，包括：

连续聚合物相，包含表现出基础耐电晕性、基础介电常数DK值K₁、基础能量密度，以及基础介电击穿强度的聚合物材料；以及

分散的颗粒相，包含表现出DK值K₂的纳米颗粒无机填料材料，其中，所述K₂的值大于K₁，并且其中，所述纳米颗粒无机填料材料分散于所述连续聚合物相中；

其中，所述介电纳米复合物表现出大于所述聚合物材料的基础耐电晕性的耐电晕性；

其中，所述介电纳米复合物表现出不小于所述聚合物材料的基础能量密度的65％的能量密度；

其中，所述介电纳米复合物表现出不小于所述聚合物材料的基础介电击穿强度的80％的介电击穿强度。

2.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述DK值K₂是所述DK值K₁的至少30倍。

3.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述DK值K₂是所述DK值K₁的至少2倍。

4.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的DK比所述DK值K₁大至少25％。

5.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的DK比所述DK值K₁大至少60％。

6.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的耐电晕性是所述聚合物材料的基础耐电晕性的至少6倍。

7.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的耐电晕性是所述聚合物材料的基础耐电晕性的至少12倍。

8.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的耐电晕性是所述聚合物材料的基础耐电晕性的至少50倍。

9.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的能量密度不低于所述聚合物材料的基础能量密度值的75％。

10.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的介电击穿强度不低于所述聚合物材料的基础介电击穿强度的85％。

11.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物的损耗因子低于1％。

12.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物中纳米颗粒无机填料材料的加载量低于按体积计5％。

13.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述介电纳米复合物中纳米颗粒无机填料材料的加载量是按体积计至少5％。

14.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述纳米颗粒无机填料材料包含Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、SrTiO₃、BaTiO₃或气相二氧化硅或它们的组合。

15.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述纳米颗粒无机填料材料具有沿着长轴测量的，小于900nm的平均尺寸。

16.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述纳米颗粒无机填料材料具有沿着长轴测量的，10至200nm的平均尺寸。

17.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述聚合物材料包含聚醚酰亚胺、聚苯乙烯、聚醚、聚酰胺、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚环氧乙烷或聚乙二醇、聚丙交酯、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯-碳酸酯、聚砜、氰化聚碳酸酯、氰化聚醚酰亚胺、氰化聚砜或聚氯乙烯或它们的共聚物或混合物。

18.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述聚合物材料包含

其中，n大于10。

19.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，进一步包含界面改性剂。

20.根据权利要求1所述的介电纳米复合物，其中，所述聚合物材料包含聚碳酸酯或聚苯醚，或者它们的共聚物或混合物。