[发明专利]用于在化学机械抛光之后清洁半导体器件基板的清洁组合物和方法在审

专利信息
申请号: 201380048270.3 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN104718278A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 大竹敦;黑田聪 申请(专利权)人: EKC技术公司
主分类号: C11D7/32 分类号: C11D7/32;H01L21/304
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 江磊;朱黎明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于包含铜互连器的半导体器件的CMP后清洁的含水清洁组合物和方法,其中所述清洁组合物包含:(A)N,N,N'-三甲基-N,-(2-羟乙基)乙二胺;以及(B)至少一种抗蚀剂,所述抗蚀剂基本上选自尿酸、黄嘌呤、茶碱、副黄嘌呤、可可碱、咖啡因、鸟嘌呤、次黄嘌呤、腺嘌呤、以及它们的组合。
搜索关键词: 用于 化学 机械抛光 之后 清洁 半导体器件 组合 方法
【主权项】:
一种用于其上具有铜互连器的半导体器件的碱性CMP后含水清洁组合物,所述组合物至少包含:(A)约0.1重量%至约20重量%的N,N,N’‑三甲基‑N'‑(2‑羟乙基)乙二胺;和(B)约0.1重量%至约10重量%的至少一种抗蚀剂,所述抗蚀剂基本上选自尿酸、黄嘌呤、茶碱、副黄嘌呤、可可碱、咖啡因、鸟嘌呤、次黄嘌呤、腺嘌呤、以及它们的组合。
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