[发明专利]具有反向MTJ连接的OTP单元有效
申请号: | 201380047386.5 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN104620320B | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | J·P·金;T·金;K·李;S·H·韩;X·李;W·N·许 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C17/02;G11C17/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种一次性编程(OTP)装置单位单元,包括具有反向连接的磁隧道结(MTJ),该反向连接用于在编程期间将该MTJ置于反平行电阻状态。在MTJ的反平行电阻状态中增大的MTJ电阻导致了较高的编程电压,此较高的编程电压减小了编程时间和编程电流。 | ||
搜索关键词: | 具有 反向 mtj 连接 otp 单元 | ||
【主权项】:
一种用于对一次性可编程单元进行编程的方法,所述一次性可编程单元包括串联耦合到存取晶体管的磁隧道结,所述磁隧道结包括钉扎层、自由层和耦合在所述自由层和所述钉扎层之间的势垒层,所述编程方法包括:向位线施加电压,所述钉扎层耦合在所述位线和所述势垒层之间;断言耦合到所述存取晶体管的栅极的字线以启用所述存取晶体管,所述存取晶体管具有源极节点和漏极节点,所述源极节点和漏极节点中的一者耦合到固定电势,所述自由层耦合在所述势垒层和所述存取晶体管的另一节点之间;响应于所述断言和施加所述电压而将所述磁隧道结的状态切换到反平行;并且在已响应于所述电压施加和断言而将所述磁隧道结的状态切换到反平行后,击穿所述磁隧道结的势垒层。
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