[发明专利]能量储存装置、能量储存装置的制造方法以及包含能量储存装置的移动电子装置有效
申请号: | 201380044088.0 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104541348B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | D.S.加德纳;金薇;陈朝晖;C.W.霍滋瓦斯;C.L.平特;B.K.莫恩;J.L.古斯塔夫森 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 杨美灵,刘春元 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 能量储存装置包括第一电极(110,510),其包括包含第一电解质(150,514)的第一多个通道(111,512);以及第二电极(120,520),其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121,522)。第一电极具有第一表面(115,511),以及第二电极具有第二表面(125,521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极,以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。 | ||
搜索关键词: | 能量 储存 装置 制造 方法 以及 包含 移动 电子 | ||
【主权项】:
一种能量储存装置,包括:第一电极,包括包含第一电解质的第一多个通道,所述第一电极具有第一表面;以及第二电极,包括包含第二电解质的第二多个通道,所述第二电极具有第二表面,其中:所述第一和第二电极的至少一个是多孔硅电极;以及所述第一和第二表面的至少一个包括钝化层,其中所述钝化层包括烃端接表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380044088.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。