[发明专利]使用激光剥离过程制造半导体结构的方法和相关的半导体结构

摘要

一种制造半导体结构的方法包括将载体晶圆结合到基板之上；去除所述基板的至少一部分；使激光辐射透射穿过所述载体晶圆而使所述基板和所述载体晶圆之间的结合变弱；以及将所述载体晶圆与所述基板分开。其它方法包括在基板之上形成电路；在所述基板中形成沟槽以限定未分隔开的半导体晶粒；将载体基板结合到所述未分隔开的半导体晶粒之上；使激光辐射透射穿过所述载体基板而使所述未分隔开的半导体晶粒和所述载体基板之间的结合变弱；以及将所述载体基板与所述未分隔开的半导体晶粒分开。一些方法包括将所述基板的至少一部分变薄，使所述多个未分隔开的半导体晶粒仍结合到所述载体基板。

主权项

一种制造半导体结构的方法，该方法包括：在基板之上形成多个有源组件；从所述基板的定位有所述有源组件的上表面去除所述基板的第一部分，在所述多个有源组件的相邻的有源组件之间穿过所述基板的一部分形成沟槽；在形成所述沟槽之后，使用直接键合过程将载体晶圆结合到所述基板之上，在所述上表面覆盖所述沟槽；从所述基板的与所述上表面相反的下表面朝向所述上表面去除所述基板的第二部分，将所述基板变薄以暴露所述沟槽；使激光辐射透射穿过所述载体晶圆而使所述基板和所述载体晶圆之间的结合变弱；以及将所述载体晶圆与所述基板分开。