[发明专利]形成锥形氧化物的方法

摘要

本发明公开了制造用于高压半导体器件的锥形场板电介质的方法。一个实施例方法可以包括沉积氧化物薄层，沉积多晶硅硬掩模，沉积光刻胶层和刻蚀沟槽区域，进行深度硅沟槽刻蚀，和剥离光刻胶层。该方法可以进一步包括沉积氧化物层和各向异性刻蚀氧化物层的重复步骤，以在沟槽内形成锥形壁。该方法可以进一步包括沉积多晶硅并且进行进一步加工以形成半导体器件。另一实施例方法可以包括在半导体晶片中刻蚀沟槽，在半导体晶片上沉积绝缘层以在沟槽内形成间隙，在绝缘层上沉积掩膜层，和交替刻蚀掩膜层和绝缘层以形成锥形场板电介质区域。

主权项

一种在半导体晶片中形成锥形场板电介质区域的方法，所述方法包括：在半导体晶片中刻蚀沟槽，其中沟槽具有侧壁；将第一厚度的第一绝缘层沉积于半导体晶片上，包括所述侧壁；刻蚀第一量的第一绝缘层，其中与沟槽顶部相邻的所述沟槽的垂直表面上的所述第一绝缘层的第一上部被移除；在半导体晶片上沉积第二厚度的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层与所述沟槽的侧壁上的一部分第一绝缘层重叠，且其中所述第二绝缘层与从中移除所述第一上部的所述沟槽的垂直表面重叠；和刻蚀第二量的所述第二绝缘层，其中沟槽侧壁上的所述第一绝缘层上的所述第二绝缘层的第二上部被移除。