[发明专利]掺杂的有机半导电性基质材料有效
| 申请号： | 201380036938.2 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104508081A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 安思哥·温纳尔;长冈诚;草野重 | 申请（专利权）人： | 保土谷化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;H05B33/20;C07C211/56;C07C211/55;H05B33/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及掺杂的有机半导电性基质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 有机 导电性 基质 材料 | ||
【主权项】：
一种掺杂的有机半导电性基质材料，其特征在于，掺杂剂为具有下式的有机内消旋轴烯化合物：其中各R1独立地选自芳基和杂芳基，所述芳基和杂芳基至少部分地、优选完全地用电子受体基团取代；其中所述有机半导电性基质材料具有化学结构(1)：其中Ar1至Ar4可以相同或不同，表示芳族烃基，优选未取代的芳族烃基；A表示由下述结构式(C)或(D)表示的二价基团或单键；
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