[发明专利]硅＜100＞的自支撑层的分离有效
| 申请号： | 201380035973.2 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104428886B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 卡罗勒·布雷利;弗雷德里克·马泽恩 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,张英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于分离结晶取向<100>的硅的自支撑层的方法，具体地以在光伏领域中应用为目的，其中，所述方法包括以下步骤a)将离子物质注入由具有结晶取向<100>的硅制成的基板中以便在基板中产生脆弱平面，在两侧上定界出基板的自支撑层和底板；以及b)以大于30℃/s的温度升高对在步骤a)中注入的基板施加热处理以便分离硅的自支撑层。 | ||
| 搜索关键词： | 100 支撑 分离 | ||
【主权项】：
一种用于分离结晶取向<100>的硅的自支撑层的方法，所述方法具体地为了在光伏领域中应用的目的，其中，所述方法包括以下步骤：a)将离子物质注入由具有结晶取向<100>的硅制成的基板中以便在所述基板中产生脆化平面，在两侧上定界出所述基板的自支撑层和底板，以及b)以大于30℃/s的温度升高对在步骤a)中注入的所述基板施加热处理以便分离硅的所述自支撑层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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