[发明专利]薄层太阳能电池的层系统有效
| 申请号： | 201380032810.9 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104521006B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | J·帕尔姆;S·波尔纳;T·哈普;T·达利博尔;S·约斯特;R·迪特米勒 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 杜荔南,胡莉莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄层太阳能电池(100)和太阳板模块的层系统(1)，包括‑吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和‑缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的InxSy，其中2/3≤x/y≤1，其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A1的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A2的第二层区域(5.2)组成，并且比例A1/A2≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。 | ||
| 搜索关键词： | 薄层 太阳能电池 系统 | ||
【主权项】：
薄层太阳能电池(100)的层系统(1)，包括：－吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和－缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的InxSy，其中2/3≤x/y≤1，其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A1的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A2的第二层区域(5.2)组成，并且比例A1/A2≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣戈班玻璃厂，未经法国圣戈班玻璃厂许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380032810.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
