[发明专利]非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法有效
| 申请号： | 201380032643.8 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104487169B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 宫村健太郎;饭沼知久;大野康晴 | 申请（专利权）人： | 东亚合成株式会社 |
| 主分类号： | B01J41/10 | 分类号： | B01J41/10;C01G29/00;C08K3/22;C08L101/00;C09J11/04;C09J201/00;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质无机阴离子交换体，并提供一种可制造具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质铋化合物的制造方法。本发明的非晶质无机阴离子交换体的特征在于通过电子显微镜观察的平均一次粒径为1nm以上500nm以下，NO3含量为全体的1重量％以下，由式[1]所表示。本发明的非晶质铋化合物的制造方法的特征在于包含沉淀生成步骤，在该步骤中，将含有3价铋离子的酸性水溶液以高于0℃低于20℃的温度范围，调整pH为12以上，从而使沉淀生成，得到的非晶质铋化合物为式[1]所示，且NO3含量为1重量％以下，BiO(OH) [1]。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶质 无机 阴离子 交换 电子零件 封装 树脂 组合 非晶质铋 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶质铋化合物的制造方法，其特征在于，含有沉淀生成步骤，该步骤中，将含有3价铋离子的酸性水溶液以高于0℃低于20℃的温度范围，调整pH为12以上，从而使沉淀生成；得到的非晶质铋化合物为式[1]所示，且NO3含量为1重量％以下，BiO(OH) [1]。
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