[发明专利]图案形成方法以及各自使用所述图案形成方法的用于制备电子器件的方法和电子器件有效
申请号: | 201380031179.0 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN104350428B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 杉山真一;山中司;上羽亮介;百田淳 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/40 | 分类号: | G03F7/40;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 牛海军 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的图案形成方法包括(i)使用光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤,所述光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物包含能够通过酸的作用增大极性以降低在包含有机溶剂的显影液中的溶解性的树脂(A);(ii)将所述第一膜曝光的步骤;(iii)使用包含有机溶剂的显影液将经曝光的第一膜显影以形成负型图案的步骤;和(iv)在第二基板上形成第二膜以覆盖所述负型图案的周围的步骤。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 以及 各自 使用 用于 制备 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种图案形成方法,所述图案形成方法包括:(i)使用光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物在基板上形成第一膜,所述光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物包含能够通过酸的作用增大极性以降低在包含有机溶剂的显影液中的溶解性的树脂(A),(ii)将所述第一膜曝光,(iii)使用包含有机溶剂的显影液将经曝光的第一膜显影以形成负型图案,和(iv)通过化学气相沉积方法(CVD)在所述基板上形成第二膜以覆盖所述负型图案的周围,其中在(iv)在所述基板上形成第二膜以覆盖所述负型图案的周围之后,所述图案形成方法还包括(vi)将所述负型图案的侧壁上的区域之外的区域中存在的第二膜移除,以及(vii)选择性地移除所述负型图案。
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