[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201380028921.2 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104364915B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李定植 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 陈海涛,穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光器件、制造所述发光器件的方法、发光器件封装及照明系统。所述发光器件包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的AlxInyGa1‑x‑yN层(0<x≤1且0<y≤1)、在所述AlxInyGa1‑x‑yN层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，其包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的AlxInyGa1‑x‑yN层(0＜x≤1，且0＜y≤1)；在所述AlxInyGa1‑x‑yN层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述AlxInyGa1‑x‑yN层的带隙能量比所述有源层的带隙能量高120meV以上，其中所述AlxInyGa1‑x‑yN层的晶格常数大于所述第一导电半导体层的晶格常数，其中所述AlxInyGa1‑x‑yN层设置在所述第一导电半导体层和所述有源层之间，其中所述AlxInyGa1‑x‑yN层与所述有源层的底面直接接触。
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