[发明专利]具有温度补偿的功率检测器有效
申请号: | 201380028590.2 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN104335485B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | X·王;Y·左;X·张;M·G·迪斯克 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F3/45;G01R21/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了具有温度补偿且具有改进的随温度的准确性的功率检测器。通过改变功率检测器内的MOS晶体管的栅极电压和漏极电压两者来减小功率检测器增益随温度的变化。在示例性设计中,一种装置包括至少一个MOS晶体管(320),该至少一个MOS晶体管接收输入信号(V输入),基于功率检测增益来检测该输入信号(V输入)的功率,以及提供指示该输入信号(V输入)的功率的输出信号(l输出)。该至少一个MOS晶体管(320)被施加可变栅极偏置电压和可变漏极偏置电压,以减小功率检测增益随温度的变化。至少一个附加MOS晶体管(322)可以接收第二可变栅极偏置电压,并且提供用于该至少一个MOS晶体管的可变漏极偏置电压。 | ||
搜索关键词: | 具有 温度 补偿 功率 检测器 | ||
【主权项】:
一种用于无线通信的装置,包括:至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管,所述至少一个MOS晶体管被配置成在第一栅极端接收输入信号,基于功率检测器增益来检测所述输入信号的功率,以及提供指示所述输入信号的功率的输出信号,其中可变栅极偏置电压被应用于所述至少一个MOS晶体管的所述第一栅极端和所述至少一个MOS晶体管的第二栅极端,其中除了在所述第一栅极端接收的所述输入信号以外,所述可变栅极偏置电压被应用于所述至少一个MOS晶体管的所述第一和第二栅极端以改变所述至少一个MOS晶体管的栅源电压并使功率检测器随温度变化维持大致恒定的功率检测器增益;以及其中可变漏极偏置电压被应用于所述至少一个MOS晶体管,其中所述可变漏极偏置电压被应用于所述至少一个MOS晶体管以提供对所述输出信号的控制。
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