[发明专利]双层交叉式P‑N二极管调制器

摘要

一种用于制造光调制器的方法包括形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

主权项

一种用于制造光调制器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成n型掺杂材料层，在所述n型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述n型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型掺杂材料层中注入p型掺杂剂以形成第一p型掺杂区和第二p型掺杂区，其中所述第一p型掺杂区从所述n型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述n型掺杂材料层中的第一深度，所述第二p型掺杂区从所述n型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型掺杂区的一部分、以及所述n型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型掺杂材料层的暴露部、所述第一p型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型掺杂材料层和所述第二p型掺杂区的区域中注入p型掺杂剂。