[发明专利]图案形成方法、光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、电子器件的制造方法以及电子器件

摘要

提供一种图案形成方法，其包括：(i)由光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜的步骤；(ii)将膜曝光的步骤；以及(iii)通过使用含有有机溶剂的显影液进行显影以形成阴图型图案的步骤，其中所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有(A)能够通过酸的作用增加极性以降低在含有有机溶剂的显影液中的溶解度的树脂，(B)能够在用光化射线或放射线照射时生成酸的化合物，(C)溶剂，以及(D)含有具有氟原子并且不具有CF3部分结构的重复单元的树脂。

主权项

1.一种图案形成方法，所述图案形成方法包括：(i)由光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜的步骤，(ii)将所述膜曝光的步骤，以及(iii)通过使用含有有机溶剂的显影液进行显影以形成阴图型图案的步骤，其中所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有(A)能够通过酸的作用增加极性以降低在含有有机溶剂的显影液中的溶解度的树脂，(B)能够在用光化射线或放射线照射时生成酸的化合物，(C)溶剂，以及(D)含有具有氟原子并且不具有CF3部分结构的重复单元的树脂，其中所述树脂(D)中的所述具有氟原子并且不具有CF3部分结构的重复单元包括由下列式(1)表示的重复单元以及由下列式(2)表示的重复单元：其中Xc1、Xc2和Xc3中的每一个独立地表示氢原子、卤素原子或不具有CF3部分结构的烷基；L1表示单键或不具有CF3部分结构的二价连接基团；并且Rf表示不具有CF3部分结构的氟化烷基，其中Xc4、Xc5和Xc6中的每一个独立地表示氢原子、卤素原子或不具有CF3部分结构的烷基；L2表示单键；并且Ra表示具有至少一个CH3部分结构的基团，所述由式(2)表示的重复单元中的Ra是具有至少一个由下列式(D3)至(D6)中的任何一个表示的结构的基团：其中*表示与所述具有至少一个由式(D3)至(D6)中的任何一个表示的结构的基团中的其他原子或者与上述式(2)中的L2连接的键。