[发明专利]图案形成方法、光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、电子器件的制造方法以及电子器件

权利要求书

1.一种图案形成方法，所述图案形成方法包括：

(i)由光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜的步骤，

(ii)将所述膜曝光的步骤，以及

(iii)通过使用含有有机溶剂的显影液进行显影以形成阴图型图案的步骤，

其中所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有(A)能够通过酸的作用增加极性以降低在含有有机溶剂的显影液中的溶解度的树脂，(B)能够在用光化射线或放射线照射时生成酸的化合物，(C)溶剂，以及(D)含有具有氟原子并且不具有CF₃部分结构的重复单元的树脂，

其中所述树脂(D)中的所述具有氟原子并且不具有CF₃部分结构的重复单元包括由下列式(1)表示的重复单元以及由下列式(2)表示的重复单元：

其中Xc₁、Xc₂和Xc₃中的每一个独立地表示氢原子、卤素原子或不具有CF₃部分结构的烷基；

L₁表示单键或不具有CF₃部分结构的二价连接基团；并且

Rf表示不具有CF₃部分结构的氟化烷基，

其中Xc₄、Xc₅和Xc₆中的每一个独立地表示氢原子、卤素原子或不具有CF₃部分结构的烷基；

L₂表示单键；并且

Ra表示具有至少一个CH₃部分结构的基团，

所述由式(2)表示的重复单元中的Ra是具有至少一个由下列式(D3)至(D6)中的任何一个表示的结构的基团：

其中*表示与所述具有至少一个由式(D3)至(D6)中的任何一个表示的结构的基团中的其他原子或者与上述式(2)中的L₂连接的键。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，

其中所述不具有CF₃部分结构的氟化烷基是直链氟化烷基。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，

其中所述不具有CF₃部分结构的氟化烷基Rf的末端结构是CH₃结构、CH₂F结构或CHF₂结构。

4.根据权利要求1所述的图案形成方法，

其中L₁不具有酯键。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，

其中所述树脂(D)的重均分子量为15,000至40,000。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，

其中所述显影液是含有选自由酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂和醚系溶剂组成的组中的至少一种有机溶剂的显影液。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，所述方法还包括：

(iv)通过使用含有有机溶剂的冲洗溶液进行冲洗的步骤。

8.一种用于根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物。

9.一种抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜利用根据权利要求8所述的光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成。

10.一种电子器件的制造方法，所述方法包括根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法。

11.一种电子器件，所述电子器件通过根据权利要求10所述的电子器件的制造方法制造。