[发明专利]电光单晶元件、该元件的制造方法以及使用该元件的系统在审
| 申请号： | 201380026516.7 | 申请日： | 2013-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN105308496A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | P·韩;W·严 | 申请（专利权）人： | P·韩 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 郑洪成 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言，本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造)，该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V，而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V)，这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中，得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 元件 制造 方法 以及 使用 系统 | ||
【主权项】：
一种生产电光晶体元件的方法，其包括以下步骤：制造铁电晶体，其具有由以下一种化学式表示的化学组成：(I)Pb(Mg1/3Nb2/3)1‑xTixO3，其中x定义为0.22至0.38，或(II)Pb(Zn1/3Nb2/3)1‑yTiyO3，其中y定义为0.04至0.11，其中所有所述的晶体元件可以掺杂或共掺杂高达6％(wt％)的镧(La)、锑(Sb)、高达8％(wt％)的钽(Ta)、高达31％(wt％)的铟(In)、高达5％(wt％)的锆(Zr)以及得自铈(Ce)、铒(Er)、铽(Tb)、钪(Sc)和钕(Nd)中的至少一种稀土元素，该元素高达8％(wt％)；将所述的晶体元件切成(011)，并形成晶片；以及在低于95℃的温度下，在2倍矫顽磁场(Ec)下，通过使所述的晶体元件沿<011>的方向极化而极化成mm2对称结构。
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