[发明专利]用于保护器件的熔断器元件及包括该元件的电路保护器件有效

专利信息
申请号: 201380025520.1 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN104303255B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 中岛慎太郎;藤田亨;前田宪之 申请(专利权)人: 恩益禧肖特电子零件有限公司
主分类号: H01H85/48 分类号: H01H85/48;H01H37/76;H01H69/02;H01H85/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 毛力
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 用于保护器件的熔断器元件(10)具有基底构件(11)和涂覆在至少一部分该基底构件(11)的表面上的覆盖构件(12),该熔断器元件被加热到预定的加热温度,以便被接合到保护器件,其中,基底构件(11)由具有高于加热温度的熔点的第一可熔金属制成,覆盖构件(12)由具有低于加热温度的熔点的第二可熔金属制成。
搜索关键词: 用于 保护 器件 熔断器 元件 包括 电路
【主权项】:
一种用于保护器件的熔断器元件,所述熔断器元件具有基底构件和在与保护器件的接合部分处覆盖所述基底构件的整个表面的覆盖构件,所述熔断器元件被加热到预定的加热温度以便被接合到保护器件,所述熔断器元件是板状构件和棒状构件之一,其中,对板状构件,所述覆盖构件的厚度大于或等于所述板状构件厚度的1%且小于或等于所述板状构件厚度的20%,对棒状构件,所述覆盖构件的厚度大于或等于所述棒状构件直径的1%且小于或等于所述棒状构件直径的20%,所述基底构件由具有高于所述加热温度的熔点的第一可熔金属制成,所述覆盖构件由具有低于所述加热温度的熔点的第二可熔金属制成,所述加热温度大于或等于183℃并且小于280℃。
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