[发明专利]用于保护器件的熔断器元件及包括该元件的电路保护器件

权利要求书

1.一种用于保护器件的熔断器元件，所述熔断器元件具有基底构件和覆盖所述基底构件的至少一部分表面的覆盖构件，所述熔断器构件被加热到预定的加热温度以便被接合到保护器件，

所述基底构件由具有高于所述加热温度的熔点的第一可熔金属制成，

所述覆盖构件由具有低于所述加热温度的熔点的第二可熔金属制成。

2.如权利要求1所述的用于保护器件的熔断器元件，其特征在于，所述加热温度大于或等于183℃并且小于280℃。

3.如权利要求1或2所述的用于保护器件的熔断器元件，其特征在于，在所述接合期间，与所述保护器件接触的接触表面包含接合用熔剂。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的用于保护器件的熔断器元件，其特征在于，所述第一可熔金属是下列之一：20Sn-80Au合金、55Sn-45Sb合金和含有大于或等于80％质量百分比Pb的Pb-Sn合金。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的用于保护器件的熔断器元件，其特征在于，所述第二可熔金属是下列之一：Sn-Ag合金、Sn-Bi合金、Sn-Cu合金、Sn-Zn合金、Sn-Sb合金、Sn-Ag-Bi合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-Ag-In合金、Sn-Zn-Al合金、Sn-Zn-Bi合金，以及除上述这些合金之外的进一步包含Au、Ni、Ge及Ga中至少一种金属元素的合金。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的用于保护器件的熔断器元件，所述熔断器元件是板状构件和棒状构件之一，其中，对板状构件，所述覆盖构件的厚度大于或等于所述板状构件厚度的1％且小于或等于所述板状构件厚度的20％，对棒状构件，所述覆盖构件的厚度大于或等于所述棒状构件直径的1％且小于或等于所述棒状构件直径的20％。

7.一种电路保护器件，所述电路保护器件包括绝缘衬底、提供于所述绝缘衬底表面上的图形电极、以及熔断器元件，所述熔断器元件被加热到预定的温度，以便被接合到所述图形电极并且被电连接到所述图形电极，

所述熔断器元件具有基底构件和覆盖所述基底构件的至少一部分表面的覆盖构件，

所述基底构件由具有高于所述加热温度的熔点的第一可熔金属制成，

所述覆盖构件由具有低于所述加热温度的熔点的第二可熔金属制成，

所述加热温度大于或等于183℃并且小于280℃。

8.如权利要求7所述的电路保护器件，进一步包括提供于所述绝缘衬底上的加热电阻器。

9.如权利要求7或8所述的电路保护器件，其特征在于，所述第一可熔金属是下列之一：20Sn-80Au合金、55Sn-45Sb合金和含有大于或等于80％质量百分比Pb的Pb-Sn合金。

10.如权利要求7-9中任意一项所述的电路保护器件，其特征在于，所述第二可熔金属是下列之一：Sn-Ag合金、Sn-Bi合金、Sn-Cu合金、Sn-Zn合金、Sn-Sb合金、Sn-Ag-Bi合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-Ag-In合金、Sn-Zn-Al合金、Sn-Zn-Bi合金，以及除上述这些合金之外的进一步包含Au、Ni、Ge及Ga中至少一种金属元素的合金。

11.如权利要求7-10中任意一项所述的电路保护器件，其特征在于，所述熔断器元件在被接合到图形电极之前是板状构件和棒状构件之一，对板状构件，所述覆盖构件的厚度大于或等于所述板状构件厚度的1％且小于或等于所述板状构件厚度的20％，对棒状构件，所述覆盖构件的厚度大于或等于所述棒状构件直径的1％且小于或等于所述棒状构件直径的20％。