[发明专利]用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触有效
| 申请号： | 201380021883.8 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104428902B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·克拉斯诺夫;威廉·邓·波尔 | 申请（专利权）人： | 葛迪恩实业公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 何冲,王程 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光伏器件(20)(例如，太阳能电池)包括前基片(34)(例如，玻璃基片)；半导体吸收薄膜(28)；后接触部(36)，包括含铜(Cu)的第一导电层(24)和含钼(Mo)的第二导电层(26)；后基片(22)(例如，玻璃基片)。所述含铜的第一导电层(24)位于所述后基片(22)和所述含钼的第二导电层(26)之间，且其中，所述半导体吸收薄膜(28)位于所述后接触部(22)和所述前基片(34)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 类似 铜铟亚 盐酸 太阳能电池 器件 接触 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，包括：前基片；半导体吸收薄膜；后接触部，包括含铜的第一导电层和含钼的第二导电层；和后基片，其中，所述含铜的第一导电层位于所述后基片和所述含钼的第二导电层之间，且其中，所述半导体吸收薄膜位于所述后接触部和所述前基片之间，其中，进一步包括：压力减轻层，配置在所述后接触部的所述第一导电层和所述后接触部的所述第二导电层之间，所述压力减轻层包含铜和钼的合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
