[发明专利]制造磁电阻的装置的方法有效
| 申请号： | 201380021675.8 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN104471646B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | S·德石潘德;S·阿加瓦尔;K·纳盖尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造基于磁电阻的装置的方法包括金属硬掩模，其对于顶部电极刻蚀化学剂是惰性的，并在磁性堆叠溅射期间具有低的溅射率。通过光致抗蚀剂图案化金属硬掩模，然后剥去该光致抗蚀剂，并通过金属硬掩模图案化顶部电极(在基于磁电阻的装置的磁性材料上面)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硬掩模 磁电阻 顶部电极 光致抗蚀剂图案 光致抗蚀剂 刻蚀化学剂 磁性材料 磁性堆叠 惰性的 溅射率 图案化 溅射 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造基于磁电阻的装置的方法，包括：提供磁性材料层；在所述磁性材料层之上沉积导电层；在所述导电层之上沉积金属硬掩模层；在所述金属硬掩模层之上提供图案化的光致抗蚀剂；刻蚀没有被所述图案化的光致抗蚀剂覆盖的所述金属硬掩模层，以形成图案化的金属硬掩模；刻蚀没有被所述图案化的金属硬掩模覆盖的所述导电层，以形成导电电极；刻蚀没有被所述导电电极覆盖的所述磁性材料层，以形成磁性材料堆叠；以及去除所述图案化的金属硬掩模以使所述导电电极暴露。
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