[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380015255.9 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104170093B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 堀井拓;木村真二;木本美津男 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种MOSFET(1)，设置有：衬底(10)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；形成在栅极绝缘膜(20)上以围绕栅电极(30)的层间绝缘膜(40)；包含Ti和N且不包含Al的缓冲膜(51)；以及包含Ti、Al和Si的源电极(52)。MOSFET(1)具有其中形成的接触孔(80)，所述接触孔贯穿层间绝缘膜(40)，暴露衬底(10)的主表面(10A)，并且与栅电极(30)隔开。缓冲膜(51)形成为与接触孔(80)的侧壁表面(80A)接触。在衬底(10)的主表面(10A)上，源电极(52)被形成为使得所述源电极与该主表面接触，所述主表面通过形成缓冲膜(51)和接触孔(80)而被暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 主表面 缓冲膜 源电极 栅电极 衬底 层间绝缘膜 栅极绝缘膜 半导体器件 侧壁表面 暴露 隔开 贯穿 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底(10)，所述衬底由碳化硅制成；栅极绝缘膜(20)，所述栅极绝缘膜形成在所述衬底(10)的表面(10A)上；栅电极(30)，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜(20)上；层间绝缘膜(40)，所述层间绝缘膜形成在所述栅极绝缘膜(20)上以围绕所述栅电极(30)；缓冲膜(51)，所述缓冲膜包含Ti和N并且不包含Al；源电极(52)，所述源电极包含Ti、Al和Si，所述源电极被形成为从所述衬底(10)的所述表面(10A)延伸到所述层间绝缘膜(40)的上表面；源极区(15)，所述源极区包括所述衬底(10)的所述表面(10A)，并且具有第一导电类型；以及接触区(16)，所述接触区包括所述衬底(10)的所述表面(10A)，并且具有第二导电类型，所述缓冲膜(51)被形成在接触孔的侧壁表面(80A)上并且与所述侧壁表面(80A)相接触，所述接触孔的所述侧壁表面是由所述层间绝缘膜(40)和所述栅极绝缘膜(20)来形成的，并且所述源电极(52)被堆叠在所述侧壁表面(80A)上的所述缓冲膜(51)上，并且与在所述衬底(10)的所述表面上的所述源极区和所述接触区相接触。
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