[发明专利]使用与串联连接的P型MOS器件并联的串联连接的N型MOS器件的双向开关有效
| 申请号： | 201380015118.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104303309B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | D·埃亨尼;J·O·邓拉 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 双向开关电路包括与共同源极端子串联连接的一对N型MOS器件，以及与共同源极端子串联连接的一对P型MOS器件。在包括开关电路的第一输入/输出(I/O)点与第一个N型器件的漏极连接且与第一个P型器件的漏极连接的配置中，串联连接的N型器件与串联连接的P型器件并联连接。并联配置还包括开关电路的第二I/O点与第二个N型器件的漏极连接且与第二个P型器件的漏极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 串联 连接 mos 器件 并联 双向 开关 | ||
【主权项】：
双向开关电路，包括：一对N型MOS器件，其通过第一共同源极端子串联连接；一对P型MOS器件，其通过第二共同源极端子串联连接；以及并联配置，其包括：所述开关电路的第一输入/输出(I/O)点，其与第一个所述N型器件的漏极连接且与第一个所述P型器件的漏极连接；以及所述开关电路的第二I/O点，其与第二个所述N型器件的漏极连接且与第二个所述P型器件的漏极连接；其中根据从所述N型MOS器件和所述P型MOS器件获得的相应源级端子获得的信号来控制所述N型MOS器件和所述P型MOS器件的栅极。
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