[发明专利]多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子有效
| 申请号： | 201380010929.6 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104125927A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吉田浩一;濑川春彦;谷俊夫;西村健;加藤秀实;和田武 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/06;H01M4/36;H01M4/38 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，获得适于实现高容量和良好的循环特性的锂离子电池用的负极材料等的多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子。作为其解决方案，本发明使用如下的多孔质硅粒子，其是将多个硅微粒(3)接合而具有连续的空隙的多孔质硅粒子(1)，其特征在于，所述硅微粒的粒径或支柱直径的平均x为2nm～2μm，所述硅微粒的粒径或支柱直径的标准偏差σ为1～500nm，所述平均x与所述标准偏差σ之比(σ/x)为0.01～0.5。另外，也可以使用如下的多孔质硅复合体粒子，其是将多个硅微粒与多个硅化合物粒子接合而具有连续的空隙的多孔质硅复合体粒子，其特征在于具备同样的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 粒子 复合体 | ||
【主权项】：
一种多孔质硅粒子，是将多个硅微粒接合而具有连续的空隙的多孔质硅粒子，其特征在于，所述硅微粒的粒径、支柱直径或支柱边的平均x为2nm～2μm，所述硅微粒的粒径、支柱直径或支柱边的标准偏差σ为1～500nm，所述平均x与所述标准偏差σ之比(σ/x)为0.01～0.5。
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