[发明专利]用于转移层的方法有效
申请号: | 201380009581.9 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN104170073B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | G·戈丹;O·科农丘克;I·拉杜 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,夏青 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的方法包括如下步骤提供支撑衬底(2)和供体衬底(3),在所述供体衬底(3)中形成脆性区域(4),以便在所述脆性区域(4)的任一侧上划分出所述供体衬底(3)的第一部分(30)和第二部分(31),在所述支撑衬底(2)上组装所述供体衬底(3),使所述供体衬底(3)沿着所述脆性区域(4)断裂,并且其特征在于所述方法包括如下步骤在所述供体衬底(3)中形成压应力层(5),从而划分出插置于所述压应力层(5)和所述脆性区域(4)之间的所谓的约束区域(50)。 | ||
搜索关键词: | 用于 转移 方法 | ||
【主权项】:
一种用于转移层的方法,包括如下步骤:a)提供支撑衬底(2),b)提供供体衬底(3),c)在所述供体衬底(3)中形成脆性区域(4),以便在所述脆性区域(4)的两侧上分别划分出所述供体衬底(3)的第一部分(30)和第二部分(31),所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)要被添加到所述支撑衬底(2)上,d)在所述支撑衬底(2)上组装所述供体衬底(3),e)通过热处理,使所述供体衬底(3)沿着所述脆性区域(4)断裂,所述方法的特征在于包括步骤c1):在所述步骤c)之后,在所述供体衬底(3)中形成压应力层(5),以便划分出插置于所述压应力层(5)和所述脆性区域(4)之间的约束区域(50),并且在于:在所述步骤c1)期间在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)中形成所述压应力层(5),以便在所述压应力层(5)的两侧上分别划分出所述约束区域(50)和活性区域(1),所述活性区域(1)形成将在步骤e)之后被转移的所述层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司,未经索泰克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380009581.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带有内燃机的手持式工作器械
- 下一篇:脐管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造