[发明专利]高-X两嵌段共聚物的制备、纯化和使用无效
申请号: | 201380008212.8 | 申请日: | 2013-02-11 |
公开(公告)号: | CN104105750A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | K.K.伯格伦;W.B.发恩哈姆;T.H.菲德恩斯恩;S.M.尼凯塞;M.T.舍汉;H.特兰六世 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司;麻省理工学院 |
主分类号: | C08J7/12 | 分类号: | C08J7/12;B82Y10/00;B82Y40/00;C08J3/28;C08L53/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邹雪梅;李炳爱 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及高-X(“chi”)两嵌段共聚物的制备和纯化。此类共聚物包含两个具有明显不同的相互作用参数的聚合物片段(“嵌段”)并可用于定向自组装应用中。 | ||
搜索关键词: | 两嵌段 共聚物 制备 纯化 使用 | ||
【主权项】:
方法,包括:a)通过将表面剂施加到基底而在所述基底上产生改性的表面,所述改性的表面通过第一表面能来表征;b)将能量施加到所述改性的表面以形成具有至少成像部分和非成像部分的成像改性的表面,其中所述成像部分具有第二表面能;c)使所述成像改性的表面与嵌段共聚物组合物接触以形成基于所述第一表面能和所述第二表面能中的至少一者的选择的图案,其中所述嵌段共聚物包含:1)衍生自单体1的聚合的第一嵌段,
其中X为H或甲基,R选自:C1‑C8烷基和部分氟化的烷基基团,其任选地被羟基或受保护的羟基基团取代并任选地包含醚键;和C3‑C8环烷基基团;和2)共价连接到所述第一嵌段的第二嵌段,其中所述第二嵌段衍生自单体2的聚合,
其中Ar为吡啶基基团、苯基基团或包含取代基的苯基基团,所述取代基选自:羟基、受保护的羟基、乙酰氧基、C1‑C4烷氧基基团、苯基、取代的苯基、‑SiR’3和‑OC(O)OR’,其中R’选自C1‑C8烷基基团,并且其中:‑选择单体1和单体2,使得单体1的均聚物和单体2的均聚物的总表面能值之间的差值大于10达因/厘米;‑所述第一嵌段占所述嵌段共聚物的5‑95重量%,‑所述嵌段共聚物的分子量介于5,000和250,000之间,并且‑所述组合物包含小于5重量%的所述单体1的均聚物和小于5重量%的所述单体2的均聚物。
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